特許

J-GLOBAL ID：200903042031512085

金属酸化膜の形成方法

発明者： 小柳 賢一 ,  佐久間 浩
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087577
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296814
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】良好な段差被覆性と膜質とを有する金属酸化膜をスループット高く形成する、金属酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】金属酸化膜の形成方法は、下地膜上に加熱されたH2Oガスを供給して、下地膜の表面を酸化させる工程(ステップS1)と、TaCl5ガスを供給し、TaCl5ガスを、酸化させた下地膜の表面で反応させ、1分子層のTaCl4基からなるシード層を形成する工程(ステップS4)と、CVD法を用いて、シード層上に酸化タンタル膜のバルク層を成長させる工程(ステップS7)とを備える。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

下地膜の表面に所定の金属の酸化物から成る金属酸化膜を形成する方法であって、 前記下地膜の表面に、酸素を含まない前記所定の金属の化合物を金属ソースとして供給し、前記所定の金属の単原子層を形成する第1の工程と、 CVD法を利用して、前記単原子層の表面に前記所定の金属の酸化物から成る金属酸化膜を堆積する第2の工程とを有することを特徴とする金属酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651

Fターム (16件)：

5F058BA11 ,  5F058BB04 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF22 ,  5F058BJ06 ,  5F083AD31 ,  5F083AD62 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21