特許
J-GLOBAL ID：200903042036030720
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075017
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283450
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】ICのダイシング,ダイボンディング時のシリコン微粒子,および塵埃等の付着を防ぎ、品質を向上させるため。【構成】IC表面に、接着材を施した保護シートを貼り付ける。【効果】ICのダイシング,ダイボンディング時の歩留り向上,および品質向上。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成されたウエハーをダイシングによりチップ化し、前記チップをパッケージにダイボンディングして半導体装置を製造する方法において、前記ウエハーの表面に熱収縮性保護シートを貼り付ける工程と、前記保護シートが付着したウエハーを保護シートごとダイシングする工程と、ダイシングにより得られた保護シート付チップをパッケージにダイボンディングする工程と、ダイボンディングされた前記チップを加熱して前記保護シートを前記チップ表面から除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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