特許

J-GLOBAL ID：200903042037143375

化合物半導体基板

発明者： 柴 育成
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267175
出願日： 1992年03月20日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 転位等の結晶欠陥を減少させた化合物半導体基板を提供する。【構成】 (001)面から[110]方向に1〜4°オフしているSi基板1上に、 TMAによりAlAs層3をテラス幅の2分の1だけ成長させる。次に TMGによりGaAs層2をテラス幅の2分の1だけ成長させる。この工程を繰り返すことにより、Si基板1上にはAlAs層3,3...とGaAs層2,2...の分数超格子が、所望する膜厚で形成される。そしてAlAs層3,3...を選択エッチングして取り除く。Si基板1上に極めて微細なGaAs層2,2...が、ストライプ状に形成される。この形成された半導体基板上に化合物半導体薄膜,GaAs膜4を成長させる。GaAs膜4はSi基板1上には成長せず、成長が進みGaAs膜4が会合する。さらにGaAs膜4の膜厚が厚くなるに従いGaAs膜4表面は凹凸が緩和されて平坦になる。そしてストライプ状のGaAs層2,2...間には間隙5,5...が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、これと構成成分が異なる化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させて形成する化合物半導体基板において、前記半導体基板と前記化合物半導体薄膜との間に、前記化合物半導体薄膜と構成成分が同じ化合物半導体が、間隙を有して介在されてあることを特徴とする化合物半導体基板。