特許

J-GLOBAL ID：200903042045571092

水素ガスセンサ

発明者： 河田 泰之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292656
公開番号（公開出願番号）：特開平7-128268
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】水素ガスに選択的なガスセンサを得る。【構成】基板上の一の主面には、感ガス層、触媒層と、酸化燃焼層を順次積層し、他の主面にはヒータを形成する。感ガス層はスパッタで調製されたn型金属酸化物半導体の薄膜であり、触媒層は貴金属の超薄膜であり、酸化燃焼層は貴金属を担持したn型金属酸化物半導体の厚膜である。

請求項（抜粋）：

基板上に電極と感ガス層と触媒層と酸化燃焼層とヒータとを有し、基板の第一の主面は、対をなす電極と、この電極と基板上に選択的に形成された感ガス層と、感ガス層上に積層された触媒層と、触媒層上に積層された酸化燃焼層を備え、基板の第二の主面は、対をなす電極と、この電極と基板上に選択的に形成されたヒータを備え、感ガス層はスパッタで調製されたn型金属酸化物半導体の薄膜であり、触媒層は貴金属の超薄膜であり、酸化燃焼層は貴金属を担持したn型金属酸化物半導体の厚膜であることを特徴とする水素ガスセンサ。