特許

J-GLOBAL ID：200903042052227917

可変遅延回路

発明者： 中林 隆志
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079861
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283976
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 GaAsMESFETを適用したDCFL回路を用い、且つ単一電源電圧下で有効に作動する可変遅延回路を提供することを目的とする。【構成】 ドレインが電圧源に接続されると共にゲート・ソースが共通接続されるディプレッション型MESFETと、出力接点となるドレインが該ディプレッション型MESFETのゲート・ソースに接続すると共にゲートに入力信号が供給されるエンハンスメント型MESFETと、該エンハンスメント型MESFETのソースとグランド設定間に設けられるレベルシフト回路と、上記出力接点にドレインが接続されると共にソースが容量素子を介してグランド接点に接続し、ゲートにアナログの制御電圧が印加されるディプレッション型MESFETとを有する構成にした。

請求項（抜粋）：

GaAsMESFETを適用した可変遅延回路において、ドレインが電圧源に接続されると共にゲート・ソースが共通接続されるディプレッション型MESTFETと、出力接点となるドレインが該ディプレッション型MESFETのゲート・ソースに接続すると共にゲートに入力信号が供給されるエンハンスメント型MESFETと、該エンハンスメント型MESFETのソースとグランド設定間に設けられるレベルシフト回路と、上記出力接点にドレインが接続されると共にソースが容量素子を介してグランド接点に接続し、ゲートにアナログの制御電圧が印加されるディプレッション型MESFETと、を具備することを特徴とする可変遅延回路。

IPC (3件)：

H03H 11/26 ,  H01L 29/804 ,  H03K 19/0952

FI (2件)：

H01L 29/80 ,  H03K 19/094 U