特許
J-GLOBAL ID:200903042056868925
光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-285348
公開番号(公開出願番号):特開2003-203684
出願日: 2002年09月30日
公開日(公表日): 2003年07月18日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 光電変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換材料用半導体、光電変換素子、太陽電池を提供する。【解決手段】 一般式1で示される化合物を半導体表面に含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。(X1X2X3,X4,X5,X6は各々独立に酸素原子,硫黄原子,またはセレン原子を表し,R1,R2,R3,R4,R5は各々独立に置換基を表し,R6,R7,R8,R9は各々独立に水素原子または置換基を表し,L1およびL2は各々独立に2価の連結基を表し、xとyは各々独立に0,1,または2のいずれかを表す)
請求項(抜粋):
下記一般式1で示される化合物を半導体表面に含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】(上記一般式1において、X1、X2、X3、X4、X5、X6は各々独立に酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を表し、R1、R2、R3、R4、R5は各々独立に置換基を表し、R4またはR5のうち少なくとも1つはカルボキシル基を表し、R6、R7、R8、R9は各々独立に水素原子または置換基を表し、L1およびL2は各々独立に2価の連結基を表し、xとyは各々独立に0、1または2のいずれかを表す。)
IPC (4件):
H01M 14/00
, H01L 31/04
, C09B 23/00
, C09B 57/00
FI (6件):
H01M 14/00 P
, C09B 23/00 L
, C09B 23/00 M
, C09B 57/00 D
, C09B 57/00 Z
, H01L 31/04 Z
Fターム (34件):
4H056CA02
, 4H056CA05
, 4H056CB06
, 4H056CC02
, 4H056CC08
, 4H056CE01
, 4H056CE03
, 4H056CE06
, 4H056CE07
, 4H056DD19
, 4H056DD23
, 4H056DD28
, 4H056DD29
, 4H056DD30
, 4H056EA13
, 4H056FA05
, 5F051AA04
, 5F051AA07
, 5F051AA14
, 5F051AA20
, 5F051BA18
, 5F051CB13
, 5F051GA03
, 5F051GA06
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032AS19
, 5H032CC16
, 5H032EE02
, 5H032EE03
, 5H032EE04
, 5H032EE16
, 5H032EE20
引用特許:
審査官引用 (1件)
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光増感組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-131521
出願人:株式会社林原生物化学研究所
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