特許

J-GLOBAL ID：200903042058823767

ナノ構造型薄膜電極の製造方法

発明者： ヘンリク・リンドストレム ,  スヴェン・セーデルグレン ,  ステン-エリック・リンドクイスト ,  アンデッシュ・ハグフェルト
出願人/特許権者： フォッシュカルパテント・イー・ウプサラ・アクチボラゲット
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-620672
公開番号（公開出願番号）：特表2003-500857
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2003年01月07日
要約：

【要約】ナノ構造型多孔質膜、例えば、太陽電池で使用するためのものをバインダーフリーで製造する方法であって、ナノメートル寸法の半導電性粒子の、揮発性沈殿防止剤における懸濁液(21)を調製する工程、該粒子懸濁液を導電性支持体上に堆積させる工程、沈殿防止剤を蒸発(31)によって除去する工程、および堆積された粒子を機械的および電気的連結のために圧縮する工程(P)を含んでなる方法。

請求項（抜粋）：

本質的にナノメートルスケールの範囲内の粒径を有する電極材料粒子(11)の、揮発性沈殿防止剤(13)におけるバインダーフリー懸濁液(21)を調製する工程、 該バインダーフリー粒子懸濁液(21)を、導電性膜で覆われた支持体(22)上に堆積させる工程、 沈殿防止剤(31)を蒸発によって除去する工程、および 粒子を圧縮して、電気的に導電性があり機械的に安定なナノ構造型多孔質膜を形成する工程を含むことを特徴とする、ナノ構造型多孔質膜電極の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/283 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/283 A ,  H01L 31/04 Z

Fターム (10件)：

4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104GG05 ,  5F051AA07 ,  5F051AA09 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04