特許
J-GLOBAL ID：200903042060467978
シリコン酸化膜成膜装置及びシリコン酸化膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335066
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163187
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する際、シリコン層の表面にドライ酸化膜を形成することなく、特性の優れたシリコン酸化膜を形成するためのシリコン酸化膜成膜装置を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜成膜装置は、(イ)シリコン層を有する基板を収納し、シリコン層にシリコン酸化膜を形成するための処理室10と、(ロ)基板を収納した状態における基板搬入出部20内を非酸化性ガス雰囲気とするための非酸化性ガス導入部21、及び、ガス排気部22が配設され、基板を処理室10に搬入出するための基板搬入出部と、(ハ)処理室10と基板搬入出部20との間に設けられたシャッター15を備え、基板搬入出部20内の非酸化性ガス雰囲気温度を、処理室10から基板搬入出部20内に流入する湿式ガスがシリコン層上で結露せず且つシリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない温度とする加熱手段25が備えられている。
請求項（抜粋）：
湿式ガスを用いてシリコン層にシリコン酸化膜を形成するためのシリコン酸化膜成膜装置であって、(イ)シリコン層を有する基板を収納し、該シリコン層にシリコン酸化膜を形成するための処理室と、(ロ)基板を収納した状態における基板搬入出部内を非酸化性ガス雰囲気とするための非酸化性ガス導入部、及び、基板搬入出部内のガスを排気するためのガス排気部が配設され、基板を処理室に搬入出するための基板搬入出部と、(ハ)処理室と基板搬入出部との間に設けられたシャッター、を備え、基板搬入出部内の非酸化性ガス雰囲気温度を、処理室から基板搬入出部内に流入する湿式ガスがシリコン層上で結露せず、且つ、シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない温度とするための加熱手段が備えられていることを特徴とするシリコン酸化膜成膜装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/316 S
