特許
J-GLOBAL ID:200903042064897063

高密度電子パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-584531
公開番号(公開出願番号):特表2002-530892
出願日: 1999年10月21日
公開日(公表日): 2002年09月17日
要約:
【要約】本発明は、厚さ約100μm未満の薄型電子デバイスと、可撓性の回路基板と、電子デバイスと回路基板との間の厚さ約25μm未満の接着剤層と、を含む極薄の回路パッケージである。回路パッケージは、厚さ約275μm未満である。他の実施形態において、回路パッケージを互いに積み重ねて一緒にラミネートし、超高密度の3次元電子回路パッケージを作製することもできる。
請求項(抜粋):
厚さ約100μm未満の半導体デバイスと、 表面に導電回路を備えた可撓性の回路基板と、 前記電子デバイスと前記回路基板との間の厚さ約25μm未満の接着剤層と、を含み、前記半導体デバイスが前記基板の回路に電気的に接続されている、厚さが275μm未満で組立後も可撓性を保持する回路パッケージ。
IPC (6件):
H01L 25/065 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18
FI (3件):
H01L 23/12 501 P ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 25/14 Z

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