特許
J-GLOBAL ID：200903042070035499
ダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置および形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230548
公開番号（公開出願番号）：特開平10-072285
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 基材との密着性の良い、高硬度の、また平坦性に優れた高品質のダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜を得る。【解決手段】 真空槽1内で基材3を保持する基材ホルダー4と、基材3温度を調整する基材温度調整機構6と、基材3に対向したガスイオン源10と、基材3に電圧を印加するバイアス手段5とを備え、上記ガスイオン源10は基材3に向かってオリフィスが設けられた反応ガス導入室11と熱電子放出手段12と、熱電子引出し電極13と、加速電極15とから成る。
請求項（抜粋）：
基材にダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する薄膜形成装置において、内部を所定の真空度に保持する真空槽と、この真空槽内で上記基材を保持する基材ホルダーと、上記基材の温度を調整する基材温度調整機構と、上記真空槽内で上記基材に対向して設けられ、解離された炭素と炭素イオン、および解離された水素と水素イオンを発生させるガスイオン源とを備え、このガスイオン源は、上記基材に向かってオリフィスが設けられ、かつガスが導入される反応ガス導入室と、この反応ガス導入室内に設けられて熱電子を放出する熱電子放出手段と、この熱電子放出手段から熱電子を引出す熱電子引出し電極と、上記反応ガス導入室の外側に設けられ、上記基材に向けて上記イオンを加速する加速電極とからなり、この加速電極に対して上記基材に電圧を印加するバイアス手段を備えたことを特徴とするダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/04 A
, C23C 16/26
