特許
J-GLOBAL ID:200903042070201275

半導体用ステージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-014681
公開番号(公開出願番号):特開平5-205993
出願日: 1992年01月30日
公開日(公表日): 1993年08月13日
要約:
【要約】【目的】 微細パターン形成時の位置合わせ精度を高める。【構成】 ステージ1に半導体基板2に密着するように冷却装置3を設ける。また、冷却装置3を露光位置に常に合わせることや、冷却装置の制御に露光位置と露光時間とマスク開口率を使用することによる。露光により、感光性レジストに消費された光エネルギーは、大部分が半導体基板に吸収される。そのために、熱が発生し、半導体基板が膨張する。冷却装置3の導入により、その熱の拡散を抑え、基板の温度分布の幅を小さくすることができる。露光位置下に冷却装置を置くことにより、熱を逃がすので、半導体基板上の温度分布はかなり抑えられる。半導体基板上の温度分布を細かく制御することにより、さらに温度分布が抑えられる。
請求項(抜粋):
ステージと、前記ステージに取りつけられた半導体基板と、前記半導体基板と接触した冷却装置とを備えたことを特徴とする半導体用ステージ。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 9/00
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-003222
  • 特開平1-152639
  • 特開平1-314707
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