特許

J-GLOBAL ID：200903042070963558

高誘電率膜の改質方法およびこれに用いる熱処理装置

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287849
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135233
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 金属酸化物からなる高誘電率膜の酸素欠損による空孔の埋め込みと、成膜ガス由来の膜中不純物であるC原子やH原子の酸化を、低温,低ダメージ,短時間の熱処理で行う。【解決手段】 O3 を含むガスをその分圧が1気圧以上となるように高圧チャンバ1へ導入し、ステージ3に内蔵されるヒータ4を用いてウェハWを加熱する。この状態で、ウェハW側へ端面を向けた光ファイバ6を通じて紫外線ランプ7からの紫外線hνをチャンバ内へ導入し、ウェハWの至近でO3 を光分解して酸素系活性種を生成させる。ウェハW上には、DRAMのキャパシタ絶縁膜として高誘電率膜が成膜されている。加熱温度がキャパシタの金属下層電極の耐熱温度より遥に低く、また処理時間が短くても、上記活性種を高圧下で膜に効率良く浸透させ、膜の比誘電率εを上昇させ、リーク電流を低減させることができる。

請求項（抜粋）：

酸素系活性種を生成し得るガスを少なくとも1気圧以上の分圧もしくは全圧にて含む雰囲気中で、金属酸化物からなる高誘電率膜の熱処理を行うことを特徴とする高誘電率膜の改質方法。

IPC (4件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/26 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 21/26 E ,  H01L 27/04 C