特許
J-GLOBAL ID:200903042072913191

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-030091
公開番号(公開出願番号):特開平10-229160
出願日: 1997年02月14日
公開日(公表日): 1998年08月25日
要約:
【要約】【課題】 LOCリード自体を変更することなく安定したワイヤーボンディングを行う。微細化に対するリードの幅を縮小する。歩留を向上する。【解決手段】 半導体チップ1の素子形成面上に絶縁性接着テープ2を介在させてリード3を接着固定し、前記半導体チップ1の外部端子と磁性体からなるリード3の内部端子とをワイヤーで電気的に接続し、封止体で封止する半導体装置の製造方法において、前記半導体チップ1の素子形成面に絶縁性接着テープ2を介在させて前記リード3の内部端子部を磁力で接着するものである。また、電磁石7を準備し、前記半導体チップ1の素子形成面上とリード3の内部端子部とを接着する時、電磁石7に電磁力を発生させ、半導体チップ1とリード3の両者を接着固定した後、電磁石7の電磁力を消減させて取り去るものである。
請求項(抜粋):
半導体チップの素子形成面上に絶縁性接着テープを介在させて磁性体からなるリードを接着固定し、前記半導体チップの外部端子と前記リードの内部端子とをワイヤーで電気的に接続し、封止体で封止する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの素子形成面に絶縁性接着テープを介在させて前記リードの内部端子部を電磁力を用いて接着固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301
FI (3件):
H01L 23/50 Y ,  H01L 23/50 L ,  H01L 21/60 301 B

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