特許

J-GLOBAL ID：200903042074663656

温度測定装置、熱型赤外線イメージセンサ及び温度測定方法

発明者： 木村 光照
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 橋爪 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264176
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】 順方向バイアスされた少なくとも1個の電位障壁を持つ半導体ダイオードを温度感度が微細に調節できる温度センサとして使用できるようにする。【解決手段】 温度センサとしての電位障壁を持つ半導体ダイオードDに直流又は矩形波形の順方向バイアス電圧を印加する際、演算増幅回路A1を介して行う。半導体ダイオードDの電位障壁の高さが温度感度を決定していることを利用して、バイアス電圧回路2から出力する順方向バイアス電圧が直接半導体ダイオードDに印加されるようにすることにより、これを微細に調節して、所望の温度感度が得られるようにすると共に、固定順方向バイアス電圧印加時に半導体ダイオードDに流れる指数関数的な温度依存性を有する電流に関係した出力電圧を得られるようにする。

請求項（抜粋）：

出力電圧を第1及び第2の出力間に出力するバイアス電圧回路と、前記バイアス回路の第1の出力が順方向バイアス電圧としてー端に印加される半導体ダイオードと、前記半導体ダイオードの他端が接続される第1の入力と、前記バイアス電圧回路の第2の出力が供給される第2の入力と、温度測定のための出力とを有する演算増幅回路とを備え、前記バイアス電圧回路の出力電圧の調節により前記半導体ダイオードの順方向バイアス電圧を調節させて、その電位障壁高さを調節することにより、所望の温度感度を持つように調節できるようにした温度測定装置。

IPC (9件)：

G01J 5/22 ,  G01J 1/42 ,  G01J 1/44 ,  G01J 5/48 ,  G01K 7/01 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 35/00 ,  H04N 5/33

FI (9件)：

G01J 5/22 ,  G01J 1/42 B ,  G01J 1/44 P ,  G01J 5/48 D ,  H01L 35/00 S ,  H04N 5/33 ,  G01K 7/00 391 C ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 A

Fターム (40件)：

2F056JT01 ,  2F056JT08 ,  2G065AA04 ,  2G065AA11 ,  2G065AB02 ,  2G065BA06 ,  2G065BA12 ,  2G065BA14 ,  2G065BA34 ,  2G065BC02 ,  2G065BC03 ,  2G065BC04 ,  2G065BC05 ,  2G065BC15 ,  2G065BE08 ,  2G065CA13 ,  2G065CA21 ,  2G065DA10 ,  2G065DA18 ,  2G066AC07 ,  2G066AC13 ,  2G066BA09 ,  2G066BA13 ,  2G066BB09 ,  2G066BB11 ,  2G066BC02 ,  2G066CA02 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA06 ,  4M118CB12 ,  5C024AX06 ,  5C024BX00 ,  5C024CX00 ,  5C024HX29 ,  5C024HX41 ,  5C024HX47