特許
J-GLOBAL ID：200903042085003208
電界吸収型光変調器と光変調器集積型半導体レーザダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030163
公開番号（公開出願番号）：特開平10-228005
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 印加されるバイアス電圧に対する光出力の立ち上がり時間が短い電界吸収型変調器及び変調器集積型半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 印加される変調電圧に従って光導波路を導波する光を変調する電界吸収型光変調器であって、上記光導波層が、該光導波層に所定の値の変調電圧が印加されたときにエキシトンのエネルギーギャップが互いに実質的に等しくなる複数の量子井戸層を含む
請求項（抜粋）：
印加される変調電圧に従って光導波路を導波する光を変調する電界吸収型光変調器であって、上記光導波層が、該光導波層に所定の値の変調電圧が印加されたときにエキシトンのエネルギーギャップが互いに実質的に等しくなる複数の量子井戸層を含むことを特徴とする電界吸収型光変調器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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