特許

J-GLOBAL ID：200903042102136322

反射防止膜、これを用いたレジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 河村 大輔 ,  塩原 英志 ,  大西 廉伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339768
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140352
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型レジスト膜中における酸の欠乏や過剰な供給を抑制して、レジストパターンのボトム付近における酸量を適切に調整可能な反射防止膜を提供する。【解決手段】 化学増幅型レジストにより半導体ウェハ上に形成されるレジスト膜の直下に設けられる反射防止膜である。前記反射防止膜は、反射防止機能を有する膜材料と、電磁波の照射により塩基性物質を生成する光塩基発生剤とを含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストにより半導体ウェハ上に形成されるレジスト膜の直下に設けられ、反射防止機能を有する膜材料と電磁波の照射により塩基性物質を生成する光塩基発生剤とを含有することを特徴とする反射防止膜。

IPC (5件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 574

Fターム (12件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  5F046PA01