特許
J-GLOBAL ID：200903042103657458
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189927
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022523
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【目的】 光出力が大きい半導体発光素子を提供する。【構成】 n-GaAs半導体基板11の上面にn-GaAs成長層12をエピタキシャル成長させる。このn-GaAs成長層12の上面にエッチングで凸条と凹溝を交互に形成する。凹凸が形成されたn-GaAs成長層12の上面にp-GaAs層13およびp-AlGaAs層14を順次エピタキシャル成長させる。p-AlGaAs層14内にn型イオンを注入してn型反転層15を形成する。p-AlGaAs層14のn型反転層15が形成されていない部分が電流通路領域17となる。p-AlGaAs層14の上面にp側電極16を,n-GaAs半導体基板11の下面にn側電極10をそれぞれ形成する。
請求項（抜粋）：
pn接合を有する半導体発光素子において,上記pn接合の接合面のうち少なくとも電流通路にあたる部分に凹凸が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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