特許

J-GLOBAL ID：200903042108406631

パターン形成方法

発明者： 内藤 卓哉 ,  佐々木 修 ,  木原 尚子 ,  城内 貴士 ,  後河内 透 ,  斎藤 聡 ,  仁木 博一 ,  多田 宰
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052757
公開番号（公開出願番号）：特開平6-027673
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】レジストパターンの裾引きや喰われ等の形状の欠陥を低減し、解像性を向上させることを目的とする。【構成】基板11上に基板からの汚染物質の拡散を抑制し得る保護膜12を形成し、この保護膜12上に化学増幅型レジストからなるレジスト層13を形成する。続いて、このレジスト層13のうち、所定の領域14を選択に露光し、更に所定の温度でベーキングすることによって潜像16を形成させる。このベーキング後のレジスト層13を現像処理し、前記露光された領域14を選択的に除去して、レジストパターン17を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に基板からの汚染物質の拡散を抑制し得る保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に、酸によって分解または架橋する置換基を有する化合物および露光によって酸を発生する化合物を含有する感光性組成物を主成分とした樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層をパターン露光する工程と、前記露光後の樹脂層を所定の温度でベーキングする工程と、ベーキング後の樹脂層を現像処理し、該樹脂層の露光された領域を選択的に除去または残存させる工程とを具備するパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-287950
  
• 特開平3-249658
  
• 特開平4-029148