特許

J-GLOBAL ID：200903042109520543

SOI基板の製造方法

発明者： 中▲吉▼ 雄一 ,  橋口 英里子
出願人/特許権者： 九州コマツ電子株式会社 ,  コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163403
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335846
出願日： 1994年06月11日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板の活性基板残留層を除去するエッチングで、中間酸化膜が溶解して欠陥品となるのを防止する。【構成】 支持基板半導体ウェハと、活性基板半導体ウェハを貼り合わせてSOI基板を作製する際、活性基板の周縁に生じるボイドを研磨して面取りする。面取部に残った活性基板の残留層を有機アルカリ溶液でエッチングして除去する。有機アルカリ溶液には、6員環の脂環式含窒素化合物、例えばピペラジン、N-メチルピペラジン、ピペリジン等の水溶液を用いる。有機アルカリ溶液の濃度は約6〜12重量%、処理温度は約60〜90°Cである。【効果】 有機アルカリ溶液は、活性基板(Si)を選択的に溶解し、中間酸化膜(SiO2)の溶解による欠陥品はなく、歩留まりが向上する。

請求項（抜粋）：

支持基盤として機能する半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェハを貼り合わせてSOI基板を作製するに当たり、活性基板を面取りした後、活性基板の面取り部に残った残留層を、一般式;CxHyNz(但し、 xが4または5で、yが10、11、または12で、zが1または2である)で示す有機アルカリ溶液でエッチングにより除去することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316