特許

J-GLOBAL ID：200903042113084766

半導体装置の製造方法

発明者： 福原 成太
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087810
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274114
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】アスペクト比の高い接続孔の内部を金属膜で埋め込む場合に、ミッシングを発生させずに良好に接続孔内を埋め込む半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板1上の層間絶縁膜5に形成された接続孔6の内壁一面及び層間絶縁膜5上にバリアメタル層7を成膜し。その後、アニールを行ない接続孔6と半導体基板1との界面付近にTiシリサイド層8を形成する。次に、原料ガスとしてWF6、還元性ガスとしてSiH4及びH2、またキャリアガスとしてHeを導入して、Blanket W CVD法により、WF6を還元させて層間絶縁膜5上及び接続孔6内にW膜9を形成し接続孔内6を埋め込む。また、この際、常温で液体であるトリエチルシラノールSi(C2H5)3OH27をバブリング法により成膜チャンバー21内に導入する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記半導体基板に達する程度の深さを有する接続孔を形成する工程と、金属元素を含む原料ガス、還元性ガス及び拡散促進ガスを前記半導体基板の全面に供給し前記接続孔内を金属膜で埋め込む工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/90 A

Fターム (57件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030DA08 ,  4K030KA23 ,  4K030LA11 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB28 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104EE15 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH13 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033TT02 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04