特許
J-GLOBAL ID：200903042118925327
多層配線基板の製造方法及び多層配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185827
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017330
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 基板に柔軟性をもたせ、ファインなパターン形成に対応させる。【解決手段】 金属ベース層1と高分子層2よりなる積層板(元基板)の高分子層2に配線パターン4を穿孔する。その後、下地金属ベース層1より金属を析出させる(図1(A))。続いて金属ベース部にフォトエッチングで電極5を形成させる(図1(B))。他方の接続部に導電粒子6を配列し、上下の基板の導通をはかる(図1(C))。ショートを防ぐため絶縁層7を塗布し(図1(D))、レーザアブレーションやフォトエッチングにて電極部5のみを露出させる。
請求項（抜粋）：
上下基板の配線パターンを導通させる多層配線基板の製造方法において、高分子フィルムに下地金属を積層した元基板を用い、高分子フィルム側より上下の配線パターンに合致した穴及び通路を穿孔して下地金属を露出させた後、該下地金属より電析を行い、該下地金属と異なる組成の金属を成長させた後、下地金属部を選択的にエッチング除去することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K 3/40 K
, H05K 3/46 S
, H05K 3/46 T
