特許
J-GLOBAL ID：200903042119749638
半導体薄膜の製造方法および磁電変換素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-104125
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249577
出願日： 1994年05月18日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】バルク型と同等の電子移動度を有するInSb薄膜を容易に且つ安価に直接基板上に形成することにより、高温用途にも十分な信頼性をもって適用できる半導体薄膜の製造方法を提供すること。【構成】表面がSi単結晶からなる基板の表面酸化膜を除去し且つ表面の Siの未結合手を水素により終端させる工程と、この水素終端Si単結晶基板上にAl、Ga、Inから選ばれた少なくとも一つからなる下地層を形成する工程と、この下地層上に少なくともInとSbとを含む予備堆積層を形成する工程と、この予備堆積層上に少なくともInとSbとを含む半導体薄膜を予備堆積層の形成開始温度より高い温度で形成する工程を有することを特徴とする半導体薄膜の製造方法である。
請求項（抜粋）：
表面がシリコン単結晶からなる基板の表面酸化膜を除去し且つ表面のシリコンの未結合手を水素原子により終端させる工程と、この水素終端した基板上にアルミニウム、ガリウム、インジウムから選ばれた少なくとも1つからなる下地層を形成する工程と、この下地層上に少なくともインジウムとアンチモンとを含む予備堆積層を形成する工程と、この予備堆積層上に少なくともインジウムとアンチモンとを含む半導体薄膜を前記予備堆積層の形成開始温度より高い温度で形成する工程を有する半導体薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, H01L 21/20
, H01L 43/06
, H01L 43/08
, H01L 43/12
