特許

J-GLOBAL ID：200903042119883326

単結晶引き上げ装置

発明者： 鬼塚 智弘 ,  金子 恭二郎 ,  水本 秀幸
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-225916
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053490
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 電子ビーム溶解による単結晶の引き上げにおいて特に問題となる、蒸着シリコンの脱落に起因する結晶欠陥の発生を防止する。【解決手段】 電子ビームの照射により、原料2の上部に融液3を生成し、その融液3からCZ法により単結晶5を引き上げる。融液3から蒸発するシリコンを蒸着させ、且つその蒸着層の脱落を阻止する蒸着層保持板8を、炉体1の内面に取り付ける。蒸着層保持板8としては、例えばSiCセラミックを用いる。

請求項（抜粋）：

炉体内でシリコン原料を溶解し、そのシリコン融液からCZ法によりシリコン単結晶を引き上げる引き上げ装置本体と、前記シリコン融液から生じる蒸気を表面に蒸着させるべく前記炉体の内面に沿って配設された表面の粗い蒸着層保持板とを具備することを特徴とする単結晶引き上げ装置。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/16 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

C30B 29/06 502 C ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/00 P ,  C30B 15/16 ,  H01L 21/208 P