半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川澄茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086914
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289654
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。【解決手段】絶縁フィルム1上に接着剤層2を介して施された銅箔3の表面の全面にスズめっき層4を厚さ0.01〜0.2μm形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔3に微細配線パターン30を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト6を塗布した後、前記端子部分に、厚さ0.15〜0.80μmのスズめっき層4を形成し、加熱処理することにより、厚さ0.20μm以上のスズ-銅合金層5bと厚さ0.15〜0.80μmの純スズ層4bを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁フィルム上に接着剤層を介して施された銅箔の表面の全面にスズめっき層を厚さ0.01〜0.2μm形成した後、パターニングして微細配線パターンを形成し、その配線パターン上の端子部分を除く所定の位置にソルダーレジストを塗布し、前記端子部分に、厚さ0.15〜0.80μmのスズめっき層を形成し、加熱処理することにより、厚さ0.20μm以上のスズ-銅合金層と厚さ0.15〜0.80μmの純スズ層を形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 , C23C 18/31 , C23C 18/54 , C23C 28/00 , C23C 30/00

FI (6件)：

H01L 21/60 311 W , C23C 18/31 A , C23C 18/54 , C23C 28/00 A , C23C 30/00 A , C23C 30/00 E

Fターム (21件)：

4K022AA15 , 4K022AA31 , 4K022AA41 , 4K022BA01 , 4K022BA03 , 4K022BA21 , 4K022BA35 , 4K022BA36 , 4K022DA04 , 4K022EA01 , 4K044AA16 , 4K044AB02 , 4K044BB03 , 4K044BB10 , 4K044BC02 , 4K044CA15 , 4K044CA62 , 5F044MM03 , 5F044MM23 , 5F044MM25 , 5F044MM48

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