特許

J-GLOBAL ID：200903042128771450

半導体レーザー及び半導体素子の製造方法

発明者： 松田 修 ,  田口 歩 ,  丸谷 幸利
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220857
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053608
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 電流ストップ層を用いた電流狭窄構造を有する半導体レーザーにおいて、電流ストライプ幅を高い制御性で制御する。【構成】 p型クラッド層4上にn型エッチングストップ層5を形成し、このn型エッチングストップ層5上にn型電流ストップ層6を形成した後、このn型電流ストップ層6をウエットエッチング法により選択的にエッチングすることによりストライプ状の開口6aを形成する。この後、この開口6aの部分のn型エッチングストップ層5中にp型不純物を拡散させてp型化する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に設けられた第一導電型の第一のクラッド層と、上記第一のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第二導電型の第二のクラッド層と、上記第二のクラッド層上に設けられたエッチングストップ層と、上記エッチングストップ層上に設けられたストライプ状の開口を有する第一導電型の電流ストップ層とを有する半導体レーザーにおいて、上記エッチングストップ層のうちの上記第二のクラッド層と上記電流ストップ層との間の部分は第一導電型であり、上記エッチングストップ層のうちの上記開口に対応する部分は第二導電型であることを特徴とする半導体レーザー。