特許

J-GLOBAL ID：200903042134466537

プラズマ処理方法

発明者： 森山 公一朗 ,  岡部 正太郎 ,  幸田 勇蔵 ,  尾崎 裕之 ,  芳里 直 ,  丹羽 光行 ,  青田 幸人 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110285
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306843
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理において、未反応ガスや副生成物を効率良く分解し、排気配管やバルブ、ポンプへの副生成物の堆積を防止して、長期間メンテナンスが不要な方法を提供する。【解決手段】 排気配管3内に、化学反応生起手段13a〜13cを配置し、該手段によってプラズマ処理チャンバー1から排出されたプラズマを50%以下に減衰する。

請求項（抜粋）：

基体または膜をプラズマ処理するための処理空間と該処理空間を排気するための排気手段とを有する処理装置におけるプラズマ処理方法であって、上記処理空間と排気手段とを結ぶ排気配管中に、該処理空間から排気された未反応ガス及び副生成物の少なくとも一方に化学反応を生起させる化学反応生起手段を配設し、上記処理空間よりプラズマ状態を維持した排気を該化学反応生起手段へ導入し、該化学反応生起手段において上記プラズマの発光強度が50%以上減衰することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 E ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (26件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030EA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K057DA18 ,  4K057DD01 ,  4K057DJ02 ,  4K057DM02 ,  4K057DM38 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BC08 ,  5F004CB02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045EG07 ,  5F045EH13 ,  5F045GB08