特許
J-GLOBAL ID：200903042134534192
半導体集積回路装置及びその製造方法及び電子計算機
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312226
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152476
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】放熱対策を改善し、特に半導体チップと放熱基板接合面の熱抵抗を原理的に解消する。【構成】第1の単結晶Si基板の表面にゲート絶縁膜、ゲート電極を形成し、電極保護絶縁膜と多結晶シリコン膜を厚く堆積してから表面を鏡面研磨する。一方第2の単結晶Si表面に幅30μm、深さ30μmの溝16をつづれ折れ状に連続して形成し、厚いシリコン酸化膜を形成してから表面研磨し、第1の単結晶Siと貼り合はせ、熱処理により接着を強化する。次に第のSi基板の裏側より研磨し表子間分離絶縁膜に分離された起導膜単結晶膜を得て、その上にMOSトランジスタを構成し配線を施す。更に溝16の両端に合せて裏面より冷媒導入口28に適合する出入孔を作孔する。これをダイシングしてチップをパッケージに搭載して配線を施す。放熱板2へのマウントは接着剤により、冷却は溝16を循環する冷媒により効率的に実現し分離構造によりラッチアップ現象に基く不良を解消できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面上の単結晶薄膜半導体層中に形成された、互いに分離された複数の半導体装置を有してなる半導体集積回路装置において、上記単結晶薄膜半導体層と上記半導体基板との境界に境界層が設けられてなり、該境界層の下側に、該境界層の下面もしくはその近傍に沿って、冷却媒体を流通させる経路が埋設されてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 23/473
, H01L 23/12
, H01L 27/12
, H01L 29/784
H01L 23/46 Z
, H01L 23/12 J
, H01L 29/78 311 X
