特許

J-GLOBAL ID：200903042142229242

プラズマCVD法及び装置

発明者： 中東 孝浩 ,  桐村 浩哉 ,  桑原 創
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283153
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制しながら成膜速度を向上させることができるプラズマCVD法及び装置を提供する。【構成】 原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に膜形成を行うにあたり、原料ガスのプラズマ化を、10MHzから200MHzの範囲の所定周波数の基本高周波電力に該周波数の10分の1以下、1000分の1以上の変調周波数で第1の振幅変調を、さらに該変調周波数の100倍未満、100分の1以上の変調周波数で第2の振幅変調を施した状態の高周波電力の印加により行い、且つ、印加電力の大きさを高周波電力面密度にして0.4W/cm2 以上に設定して行う。

請求項（抜粋）：

成膜用原料ガスを電極面積1000cm2 以上の高周波電極による高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に膜形成を行うプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、10MHzから200MHzの範囲の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の10分の1以下、1000分の1以上の変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力を印加することで行い、且つ、該印加電力の大きさを高周波電力面密度にして0.4W/cm2 以上となるように設定して行うことを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31