特許
J-GLOBAL ID：200903042144656601
スパッタリングによる成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201338
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026866
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 絶縁基板上の導電層のチャージアップによる放電を防止しつつ成膜することができるスパッタリング成膜法を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に導電層を含む膜を形成するために利用し得るスパッタリング成膜方法は、中央に開口部(1a)を含むフレーム状の形態であって電気的に接地された導電性の基板ホルダ(1)を用意し、絶縁性基板(2)はホルダ(1)の開口部(1a)を覆うように配置され、基板(2)の周縁部上に柔軟性を有すスペーサ(5)を配置するとともにそのスペーサを介して基板(2)をホルダ(1)に押圧するためのバックプレート(3)を重ね、バックプレート(3)をホルダ(1)に対して押圧固定し、その状態において、別に設けられたターゲットをスパッタリングすることによって、ホルダ(1)の開口部(1a)から露出されている基板(2)の領域上に新たな層を堆積することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に導電材料からなる少なくとも1つの層を含む膜を形成するために利用されるスパッタリングによる成膜方法であって、導電性の基板ホルダを用意し、前記ホルダは中央に開口部を含むフレーム状の形態を有していて電気的に接地され、前記基板は前記ホルダの前記開口部を覆うように配置され、前記基板の周縁部上に柔軟性を有するスペーサを配置するとともに前記スペーサを介して前記基板を前記ホルダに押圧するためのバックプレートを重ね、前記バックプレートを前記ホルダに対して押圧固定し、この状態において、別に設けられたターゲットをスパッタリングすることによって、前記ホルダの前記開口部から露出されている基板の領域上に新たな層を堆積することを特徴とするスパッタリングによる成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 J
, H01L 21/203 S
4K029BC00
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 4K029JA01
, 5F103AA08
, 5F103BB33
, 5F103DD28
, 5F103HH04
, 5F103LL04
, 5F103LL13
, 5F103RR10
