特許

J-GLOBAL ID：200903042150274893

マスク蒸着方法

発明者： 奥村 実紀雄
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236628
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059155
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 有機物やイオン化傾向の低い金属を蒸着源として蒸着する際、精度が良く、良質な薄膜パターンを作製できるマスク蒸着方法を提供する【解決手段】 基板7に蒸着パターンが形成されたマスク8を密着し、このマスク8側から蒸着を行って、基板7に薄膜パターンを形成するマスク蒸着方法において、マスク8は、ウエットエッチング液により微細なパターンが形成された単結晶Siからなる。

請求項（抜粋）：

基板に蒸着パターンが形成されたマスクを密着し、このマスク側から蒸着を行って、前記基板に薄膜パターンを形成するマスク蒸着方法において、前記マスクは、ウエットエッチング液により微細なパターンが形成された単結晶Siからなることを特徴とするマスク蒸着方法。

IPC (4件)：

C23C 14/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

C23C 14/04 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/285 M ,  H01L 21/306 B

Fターム (17件)：

4K029BB03 ,  4K029HA02 ,  4M104DD34 ,  4M104HH14 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD07 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043FF06 ,  5F043GG10 ,  5F103AA01 ,  5F103DD25 ,  5F103DD28 ,  5F103LL20 ,  5F103PP08 ,  5F103RR10