特許

J-GLOBAL ID：200903042150593689

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 鈴木 篤
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086836
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244173
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】タイムゼロ絶縁破壊(TZDB)特性及び経時絶縁破壊(TDDB)特性の優れたシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体基板10上に加湿酸化法にてシリコン酸化膜12を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中でシリコン酸化膜12を熱処理する。加湿酸化法は、パイロジェニック酸化法とすることが望ましい。また、ハロゲン元素は、塩素であることが望ましい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に加湿酸化法にてシリコン酸化膜を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中で該シリコン酸化膜を熱処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31