特許

J-GLOBAL ID：200903042153643300

無電解Ni-Pメッキ電極膜

発明者： 野田 悟 ,  谷口 秀樹 ,  木村 孝 ,  林 映克
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054393
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214550
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】 セラミック素体の材料組成などに影響を受けることなく、無電解メッキ電極膜の密着強度を増大させ、信頼性を向上させる。【構成】 セラミックコンデンサやセラミック半導体などのセラミック素体上に無電解メッキを施し、これを200〜500°Cの温度で熱処理することにより形成されるNi-P電極膜のP含有率を6〜9重量%とする。

請求項（抜粋）：

セラミックコンデンサやセラミック半導体などのセラミック素体上に無電解メッキを施し、これを200〜500°Cの温度で熱処理することにより形成されるNi-P電極膜であって、P含有率が6〜9重量%の範囲にあることを特徴とする無電解Ni-Pメッキ電極膜。

IPC (4件)：

C23C 18/32 ,  C22C 19/03 ,  H01G 1/01 ,  H01G 4/12 427

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭49-039759
  
• 特開昭49-039759