特許
J-GLOBAL ID：200903042155511303
磁気ビツト構造の磁気状態を検出する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-097900
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101641
出願日： 1991年04月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 強磁性薄膜の磁化の向きを基にしてメモリセルの状態を決定する方法を得ることである。【構成】 本発明は、強磁性メモリフイルムの分離された二層を有する磁気ビット構造の磁化状態を検出する方法である。上記磁気ビット構造の磁性メモリフイルムにフイルムの縁に平行な磁化方向に従う共通な方向と反対方向に磁界が発生するように語線電流を供給し、その電流で生じる電気抵抗値の変化を検出することで前記磁化状態を検出する。
請求項（抜粋）：
第1の終端部と第2の終端部の間に磁気抵抗性、異方性の磁気材料の記憶膜をおのおの備え、かつ、前記記憶膜から電気絶縁層を横切って配置された語線導体をおのおの有する磁気ビット構造の磁気状態を検出する方法であって、前記語線導体はその前記記憶膜の一対の両側縁部の上を延長し、各前記延長部は前記第1の終端部と前記第2の終端部の間を延長し、各磁気ビット構造の前記記憶膜は、それの対応する前記語線導体が延長する向きにほぼ沿って向けられた磁化容易軸を有し、その磁化容易軸に沿う磁化の向きがその前記磁気ビット構造の前記磁気状態を決定し、各磁気ビット構造の前記記憶膜は前記両側縁部にほぼ平行に向けられた内部磁化を示す前記一対の両側縁部のいずれかに十分に近い部分を有し、その縁層の磁化はほぼ共通の向きに少なくとも部分的に向けられる磁気ビット構造の磁気状態を検出する方法において、対応する第1の前記磁気ビット構造の前記記憶膜内に前記共通の向きとはほぼ逆の向きの磁界を結果として生ずるような向きに選択された起動電流を第1の前記語線導体に流す過程と、前記起動電流による前記第1の前記磁気ビット構造の第1の終端部と第2の終端部の間の磁気抵抗値の変化を検出して、それを表す信号を発生する過程と、を備える磁気ビット構造の磁気状態を検出する方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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