疎水性沈降シリカ、その製造方法およびその使用

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-225134
公開番号（公開出願番号）：特開2003-146647
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】疎水性沈降シリカ、その製造方法およびその使用を提供する。【解決手段】疎水性沈降シリカを製造する際に、a)オルガノポリシロキサン誘導体および沈降シリカからなる混合物を製造し、b)混合物のコンディショニングを10〜150°Cで0.5〜72時間実施し、かつc)酸化加熱処理を300°Cより高い温度で酸化ガスを用いて実施する。【効果】著しく高い白色度および著しく低い吸水率を有する疎水性沈降シリカが得られる。

請求項（抜粋）：

疎水性沈降シリカにおいて、次の特性: - 炭素含有率 >3.1%、 - メタノール湿潤性 >60%、 - 反射率 >94%、 - BET/CTABの比 >1および<3、 - DBP吸収量 <230g/100g、 - BET表面積 50〜110m<SP>2</SP>/g、 - CTAB表面積 >30m<SP>2</SP>/g、 - 30°Cおよび30RFにおける水蒸気吸収率 1.1±0.2%、 - 30°Cおよび70RFにおける水蒸気吸収率 1.4%±0.3%を特徴とする、疎水性沈降シリカ。

IPC (8件)：

C01B 33/18 , A01N 25/08 , C08K 3/36 , C08L 21/00 , C08L 83/04 , C08L101/00 , C09C 1/28 , C09C 3/12

FI (8件)：

C01B 33/18 C , A01N 25/08 , C08K 3/36 , C08L 21/00 , C08L 83/04 , C08L101/00 , C09C 1/28 , C09C 3/12

Fターム (38件)：

4G072AA41 , 4G072CC14 , 4G072GG02 , 4G072GG03 , 4G072HH21 , 4G072HH29 , 4G072MM36 , 4G072QQ07 , 4G072TT06 , 4G072UU07 , 4H011BA04 , 4H011BC18 , 4H011DA02 , 4H011DD01 , 4H011DE17 , 4H011DF03 , 4H011DG16 , 4J002AA011 , 4J002AC001 , 4J002CP031 , 4J002DJ016 , 4J002FD016 , 4J037AA18 , 4J037CC28 , 4J037DD13 , 4J037DD17 , 4J037DD27 , 4J037EE02 , 4J037EE25 , 4J037EE28 , 4J037EE43 , 4J037EE44 , 4J037FF02 , 4J037FF04 , 4J037FF13 , 4J037FF15 , 4J037FF25 , 4J037FF26

引用特許：

審査官引用 (6件)

シラン化ケイ酸、その製法及びそれを含有する低い降伏価を有する低粘度ポリマー系
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-106937 出願人：デグッサアクチェンゲゼルシャフト
特開昭63-006062
特開昭53-002398

全件表示

前のページに戻る