特許
J-GLOBAL ID:200903042175277552

ポリシラザンの高分子量化方法、高分子量化されたポリシラザン、及び該ポリシラザンを塗布焼付けた耐熱絶縁電線

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 繁明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-310888
公開番号(公開出願番号):特開平6-136130
出願日: 1992年10月26日
公開日(公表日): 1994年05月17日
要約:
【要約】【目的】 ポリシラザンの高分子量化方法を提供すること。高分子量化されたポリシラザンを用いることにより、耐熱性と柔軟性を備え、かつ、機械的強度が良好なポリシラザンの絶縁皮膜を有する耐熱絶縁電線を提供すること。【構成】 繰り返し単位〔I〕(-SiR1R2-NH-) 〔I〕〔式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルアミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選ばれる。〕で表されるポリシラザンを不活性ガス中で加熱することを特徴とするポリシラザンの高分子量化方法。該方法により得られる高分子量化ポリシラザン。導体上に高分子量化したポリシラザンを塗布焼付けしてなる耐熱絶縁電線。
請求項(抜粋):
繰り返し単位〔I〕(-SiR1R2-NH-) 〔I〕〔式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルアミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選ばれる。〕で表されるポリシラザンを不活性ガス中で加熱することを特徴とするポリシラザンの高分子量化方法。
IPC (7件):
C08G 77/62 NUM ,  C01B 21/068 ,  C09D183/16 PMM ,  H01B 3/30 ,  H01B 7/02 ,  H01B 7/34 ,  H01B 13/16

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