特許

J-GLOBAL ID：200903042177536717

窒化膜の成膜方法

発明者： 坂本 一郎
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090634
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283213
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】CVD法の窒化膜の成膜方法に於いて、膜厚の均一性を向上させる。【構成】CVD法による成膜の前にウェーハ表面にNH3 ガスにより窒化処理を施し、ウェーハの平面性状を改善することで、後工程での成膜処理に於ける膜厚均一性を改善する。

請求項（抜粋）：

CVD法による窒化膜の成膜方法に於いて、成膜の前にウェーハ表面にNH3 ガスにより窒化処理を施すことを特徴とする窒化膜の成膜方法。