特許

J-GLOBAL ID：200903042177894613

プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 栗部 栄史
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272800
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093843
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板に膜厚および膜質が均一な薄膜、特に結晶質シリコン薄膜を高速度で成膜することが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記中空状の第2電極は、前記第1電極の前面に配置された多数のガス吹き出し穴が開口されたガス吹き出し板と、このガス吹き出し板の背面に配置され、前記各ガス吹き出し穴の内周付近の複数箇所にそれぞれガスを吹き込むための複数のガス流通孔が開口された分散板とを有し、かつ前記ガス吹き出し穴に前記ガス流通孔からのガス流れを変えるためのガス流路変更部を形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記中空状の第2電極は、前記第1電極の前面に配置された多数のガス吹き出し穴が開口されたガス吹き出し板と、このガス吹き出し板の背面に配置され、前記各ガス吹き出し穴の内周付近の複数箇所にそれぞれガスを吹き込むための複数のガス流通孔が開口された分散板とを有し、かつ前記ガス吹き出し穴に前記ガス流通孔からのガス流れを変えるためのガス流路変更部を形成したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  H01L 31/04 V

Fターム (55件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP03 ,  5F045EE13 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07 ,  5F045EF14 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051BA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CA22 ,  5F051CA23 ,  5F051CA24 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA18