特許

J-GLOBAL ID：200903042184528002

半導体基板上に半導体デバイスを形成する方法及びトランジスタ

発明者： グレン ディー ウィルク ,  マーシャル ホーウェル
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249561
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101083
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上にある半導体デバイスを形成する方法である。【解決手段】この方法は、SiOx(ただし、xは0より大きく、2より小さい)で構成された亜酸化物物質の層を基板上に形成するステップ(104)、及び亜酸化物物質の層上に構造を形成するステップ(106)を含む。他の実施形態において、亜酸化物物質は、シリコン源を用いる電子ビーム蒸発器源に半導体基板をさらすことによって形成され、半導体ウエハは、このステップの間分圧を有する酸素含有雰囲気に置かれる。酸素の分圧は10-7〜10-4トルの間である。半導体基板は、好ましくは、約650〜750°C、更に好ましくは、約670〜720°Cの温度に保たれるのが好ましい。更に、亜酸化物物質は、酸素含有雰囲気において化学気相堆積(CVD)によって形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に半導体デバイスを形成する方法であって、SiOx(ただし、xは0より大きく、2より小さい)で構成された亜酸化物物質の層を前記基板上に形成するステップと、前記亜酸化物物質の層上に構造物を形成するステップを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/316 X