特許

J-GLOBAL ID：200903042187688540

半導体光反射層構造

発明者： 小濱 剛孝 ,  大礒 義孝 ,  天野 主税
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078793
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243687
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 高反射を維持しかつ低抵抗素子を実現可能とする。【構成】 n型Al0.15Ga0.85As結晶基板1上に35.5対のn型AlAs/Al0.2Ga0.8Asからなる第1の半導体光反射層2を形成し、続いてn型Al0.6Ga0.4As層3,10対のAl0.3Ga0.7As/GaAs層からなる活性層4およびp-Al0.6Ga0.4As層5の3層からなる全体の膜厚が光学波長の3倍となるキャビティー層を形成した後、18.5対のp型Al0.2Ga0.8As/AlAsからなる第2の半導体光反射層6を形成し、最後にp型GaAs層7を形成する。次にこのp型GaAs層7上にCr/Auのリング状の第1の金属8を形成した後、結晶基板1の裏面に反射防止膜9およびAuGeNi/Auの裏面電極10をする。次にポリイミド12を用いた素子平坦化を行った後、この第1の金属8上にCr/Auの電極パッド13を形成し、最後にこのリング状第1の金属8上にAuを蒸着して第2の金属14を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に前記半導体基板の主面に垂直な膜厚方向に対して屈折率を周期的に変化させることにより構成される半導体光反射層構造において、前記半導体光反射層の上部に形成されたリング状の第1の金属膜と、前記第1の金属膜上に前記半導体光反射層の表面と接触して形成された光反射率の高い第2の金属膜と、を備えたことを特徴とする半導体光反射層構造。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特公昭56-032454