特許
J-GLOBAL ID:200903042190041859

プロセス処理方法およびその装置並びに半導体製造ラインおよびそれにおける被処理基板の搬送方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-088926
公開番号(公開出願番号):特開平11-288990
出願日: 1998年04月01日
公開日(公表日): 1999年10月19日
要約:
【要約】【課題】ウェハ等の被処理基板を混流させて製造する混流生産ライン方式においてタクトタイムの短縮、およびスループットの向上をはかったプロセス処理方法およびその装置並びに半導体製造ラインおよび半導体製造ラインにおける被処理基板の搬送方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、被処理基板移載装置(EFEM)に保管された被処理基板を収納した1つまたは複数のキャリアについてのキャリアおよび被処理基板に関する情報を基に、複数種類の被処理基板供給ルールに従って前記被処理基板移載装置に保管されたキャリアに収納された被処理基板を1つのプロセス処理手段(PM)を備えた製造装置(EQ)内に供給し、この供給された被処理基板に対して前記プロセス処理手段によってプロセス処理することを特徴とするプロセス処理方法その装置並びに半導体製造ラインである。
請求項(抜粋):
被処理基板移載装置に保管された被処理基板を収納した1つまたは複数のキャリアについてのキャリアおよび被処理基板に関する情報を基に、複数種類の被処理基板供給ルールから適宜決定された所望のルールに従って前記被処理基板移載装置に保管されたキャリアに収納された被処理基板を1つのプロセス処理手段を備えた製造装置内に供給し、この供給された被処理基板に対して前記プロセス処理手段によってプロセス処理することを特徴とするプロセス処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/68 ,  H01L 21/02
FI (2件):
H01L 21/68 A ,  H01L 21/02 Z

前のページに戻る