特許

J-GLOBAL ID：200903042193557279

半導体製造装置の温度制御装置

発明者： 田中 和夫 ,  中野 稔 ,  上野 正昭 ,  秋田 幸男
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177961
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007965
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハ近傍の温度を測定して、半導体製造における最適な温度制御を実現する。【構成】 加熱炉1内に反応管4を納め、この反応管4内にウェーハ6を収納したボート5を装填して、ヒータ2によって反応管4内を所定の温度に加熱してウェーハ6に処理を施す半導体製造装置において、熱電対11をボート5に取り付け、この熱電対11からの測定温度に基づいて、温度制御手段12がヒータ2に供給する電力を制御し、反応管4の加熱温度を制御する。すなわち、温度制御をウェーハ6の近傍温度に基づいて行う。

請求項（抜粋）：

加熱炉内に処理対象の基板を収納したボートを装填し、ヒータによって加熱炉内を所定の温度に加熱して基板に処理を施す半導体製造装置において、前記ボートに取り付けられた温度センサと、前記温度センサからの測定温度に基づいて前記ヒータによる加熱温度を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置の温度制御装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 501 ,  H01L 21/205 ,  H01L 23/58

FI (3件)：

H01L 21/22 501 N ,  H01L 21/205 ,  H01L 23/56 D