特許
J-GLOBAL ID：200903042194095201
半導体装置における配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241363
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064915
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】半導体装置における配線の形成において、所望の幅、形状を有する配線を確実にエッチング法にて形成することを可能にする半導体装置における配線の形成方法を提供する。【解決手段】配線の形成方法は、(イ)基体12上に、不純物を含有していない若しくはp型不純物を含有するシリコン系材料層13を形成する工程と、(ロ)配線を形成すべき部分以外の該シリコン系材料層13Aに、n型不純物をイオン注入する工程と、(ハ)n型不純物がイオン注入されたシリコン系材料層13Aをエッチングし、以て、不純物を含有していない若しくはp型不純物を含有するシリコン系材料層から成る配線15を形成する工程から成る。
請求項（抜粋）：
(イ)基体上に、不純物を含有していない若しくはp型不純物を含有するシリコン系材料層を形成する工程と、(ロ)配線を形成すべき部分以外の該シリコン系材料層に、n型不純物をイオン注入する工程と、(ハ)n型不純物がイオン注入されたシリコン系材料層をエッチングし、以て、不純物を含有していない若しくはp型不純物を含有するシリコン系材料層から成る配線を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置における配線の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3213
, H01L 21/265
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3065
, H01L 29/78
H01L 21/88 D
, H01L 21/28 301 D
, H01L 21/265 P
, H01L 21/265 W
, H01L 21/302 J
, H01L 29/78 301 X
