特許

J-GLOBAL ID：200903042195035148

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 平野 直樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131940
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329688
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 データの二度書きによる不揮発性メモリICの不安定状態、あるいは素子破壊の発生を防止することができる。【構成】 外部からの不揮発性メモリ部へのデータの書き込みを、データが既に書き込まれているかどうかにより制御するためのしきい値を、不揮発性メモリ部における値よりも低い値を有する電位状態保持レジスタを具備する。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリ部内にデータが書き込まれている状態での外部からのデータの書き込みが禁止される不揮発性半導体記憶装置であって、前記不揮発性メモリ部においてデータの書き込み状態を判断するしきい値となる第1のしきい値よりも低い値を第2のしきい値として有し、前記不揮発性メモリ部内の電荷の電位レベルが前記第2のしきい値を超えた場合に前記不揮発性メモリ部内にデータが書き込まれている状態であると判断する電位状態保持レジスタを具備することを特徴とする不揮発性半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-301846
  
• 特開平2-302997
  
• 特開平4-182996