半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-157409
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022996
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】溝型電極の低抵抗化を図るとともに、高性能、高集積の半導体装置を得る。【構成】コレクタ埋込層2にまで到達する第2の溝14aの側壁にのみ半導体層14eが形成され、この半導体層14e上に金属層が形成された後、熱処理が施され半導体層14eと金属層とが反応して金属化合物層14fが形成される。続いて、第2の溝14a内に導電体が充填され、導電体層14gが形成されたものである。

請求項（抜粋）：

溝が形成され、この溝の側壁上に形成された半導体と金属とからなる金属化合物層とこの金属化合物層を有する溝内に埋め込まれた導電体とを有する溝型電極、およびこの溝型電極の底部において電気的に接続された導電領域を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/76 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 29/72 , H01L 21/76 L , H01L 29/44 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭62-089355
特開平4-030422

審査官引用 (4件)

特開昭62-089355
特開昭62-089355
特開平4-030422

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