炭化ケイ素膜のデュアルプラズマ処理

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273772
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217189
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】多層炭化ケイ素スタックを形成する方法が説明されている。【解決手段】多層炭化ケイ素スタックは、その上に形成されたより厚い炭化ケイ素層(例えば、少なくとも300オングストロームの厚さの炭化ケイ素層)を有する薄い炭化ケイ素シード層(例えば、約100オングストローム未満の厚さの炭化ケイ素シード層)を有する。基板の上に薄い炭化ケイ素シード層を堆積することにより、多層炭化ケイ素スタックは形成される。炭化ケイ素シード層が基板の上に堆積された後に、炭化ケイ素シード層はヘリウム含有プラズマで処理される。その後、より厚い炭化ケイ素層が、プラズマ処理された炭化ケイ素シード層の上に堆積される。多層炭化ケイ素スタックは、集積回路の製造工程と適合性がある。一つの集積回路製造プロセスにおいて、多層炭化ケイ素スタックは、障壁層として使用される。別の集積回路製造プロセスにおいて、多層炭化ケイ素スタックは、素子間配線構造を作るためのハードマスクとして使用される。

請求項（抜粋）：

基板の上に多層炭化ケイ素スタックを形成する方法であって、(a)基板の上に炭化ケイ素シード層を形成するステップと、(b)ヘリウム含有プラズマを用いて、炭化ケイ素シード層を処理するステップと、(c)プラズマ処理済み炭化ケイ素シード層の上に、炭化ケイ素層を形成するステップとを有する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/314 , C23C 16/42 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/314 A , C23C 16/42 , H01L 21/90 K , H01L 21/90 P

Fターム (70件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA20 , 4K030BA37 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030LA15 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS07 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F058BA20 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BE10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF36 , 5F058BH16 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

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