特許

J-GLOBAL ID：200903042225397422

ポリシリコン層のエッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 吉田 雅昭 ,  橋本 泰典 ,  板垣 伸
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191227
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022898
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】 簡単な方法で精度良くポリシリコン層の残膜厚を制御することができる、ポリシリコン層のエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングするべきポリシリコン層4中に予め不純物As、Pをイオン注入法で導入することにより、第1導電型の不純物導入層と第2導電型の不純物導入層とを形成しておき、ポリシリコン層4中の不純物濃度の、膜厚方向の大きな変化を検出することにより、ポリシリコン層4のエッチング終点を検出する。このエッチング方法を適用することにより、インバースT型トランジスタのゲートエッチングを簡単、かつ精確に行うことができる。

請求項（抜粋）：

ポリシリコン層中の不純物濃度の、膜厚方向の大きな変化を検出することによりエッチング終点を検出することを特徴とするポリシリコン層のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 P