特許

J-GLOBAL ID：200903042238032725

基準電圧回路およびその設計方法

発明者： 吉田 信一
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141817
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326469
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 温度特性がゼロになるED型基準電圧回路の導電係数比はプロセスやMOSトランジスタのスレッショルド電圧やバックゲートバイアス効果によって異なり、しかも導電係数比のちょっとしたズレで温度特性が数十ppmも変化するので、従来温度特性ゼロの基準電圧を得ようと思うと1回で目的とする温度特性のED型基準電圧回路を得る事は難しかった。そのため2回、3回とED型基準電圧回路を作り直していた。【解決手段】 本発明は、MOSトランジスタ単体の温度特性からED型基準電圧回路の温度特性を予測(シミュレート)できるようにした。具体的にはデプレッションタイプMOSトランジスタとエンハンスメントタイプMOSトランジスタのスレッショルド電圧と電荷移動度の温度特性をそれぞれ調べ、ED型基準電圧回路の理論式にあてはめ基準電圧の温度特性を予測できるようにした。

請求項（抜粋）：

同一導電型のエンハンスメントタイプMOSトランジスタとディプレッションタイプMOSトランジスタからなり、前記ディプレッションタイプMOSトランジスタを定電流源として用いる基準電圧回路(以後ED型基準電圧回路と称す)において、前記エンハンスメントタイプMOSトランジスタの導電係数(Ke)と前記ディプレッションタイプMOSトランジスタの導電係数(Kd)の比が(1)式の範囲内であることを特徴とする基準電圧回路。 Ke/Kd=(1/M)*(μe/μd)*(∂(√(μd/μe)*Vtd)/∂Vte)^2 ±40% (1)

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8236 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 27/04 B ,  H01L 27/04 G ,  H01L 27/08 311 D