特許

J-GLOBAL ID：200903042241284395

気相成分除去装置

発明者： 森竹 利充
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353668
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハの表面に成膜をなすCVD装置の後段に装着され、当該CVD装置から排気される処理ガスの気相成分を効率よく補集することのできる気相成分除去装置を提供する。【解決手段】 縦型CVD装置から排出された混合ガスを導入させる取込容器を有し、この取込容器に混合ガスへの冷却作用にてその表面に混合ガスの気相成分の付着をなす捕集用円盤40A、40Bを設置した気相成分除去装置である。捕集用円盤40A、40Bを積層方向に隙間52を有して複数枚重ね合わせ、混合ガスが隙間52を通過するよう捕集用円盤40A、40Bを配置するとともに、捕集用円盤40A、40Bにおけるガス導入側端部を隣り合う捕集用円盤でずらして配置した。これによりガス導入側端部に成長する捕集物56同士が干渉するのを防止することができる。

請求項（抜粋）：

CVD装置から排出された混合ガスを導入させるガス取込室を有し、このガス取込室に前記混合ガスへの冷却作用にてその表面に前記混合ガスの気相成分副生成物の付着をなすディスク板を設置した気相成分除去装置であって、前記ディスク板を積層方向に隙間を有して複数枚重ね合わせ、前記混合ガスが前記隙間を通過するよう前記ディスク板を配置するとともに、前記ディスク板におけるガス導入側端部を隣り合う前記ディスク間でずらして配置したことを特徴とする気相成分除去装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  B01D 53/34 ZAB ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 E ,  B01D 53/34 ZAB Z

Fターム (29件)：

4D002AA13 ,  4D002AA26 ,  4D002AC10 ,  4D002BA13 ,  4D002BA20 ,  4D002CA07 ,  4D002DA21 ,  4D002DA70 ,  4D002GA02 ,  4D002GA03 ,  4D002GB04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA12 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EF20 ,  5F045EG03 ,  5F045EG07 ,  5F045EG08