面発光型半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012279
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204278
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、レーザ光出射孔における誘電体多層膜反射鏡の反射率の低下と光の漏れを防ぎ、低閾値電流で且つ高効率の面発光型半導体レーザを提供することにある。【構成】レーザ光出射孔(12)と電極(8)上面の一部を同時に覆う誘電体多層膜反射鏡(10)を有する面発光型半導体レーザにおいて、電極(8)に形成された光出射孔(12)の形状を、半導体表面に接する面の面積よりも半導体表面に接しない面の面積の方が広い逆台形にする。【効果】本発明によれば反射率の高い誘電体多層膜反射鏡を提供できるので、面発光型半導体レーザの閾値電流低減と高効率化に効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、光を発生する活性層の上下を反射鏡で挟んだ積層構造、及び活性層に対して基板と反対側の半導体表面に光出射孔を有する電極を有し、上記反射鏡のうち活性層に対して基板と反対側の反射鏡が上記光出射孔及び上部電極の一部を同時に覆う構造となっており、上記半導体基板に垂直に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、上記電極に形成された光出射孔の形状が、半導体表面に接する面の面積よりも半導体表面に接しない面の面積の方が広い逆台形であることを特徴とする面発光型半導体レーザ。

前のページに戻る