特許
J-GLOBAL ID：200903042245185790
ゲート酸化膜の形成方法および電界効果型トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201193
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029625
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 ゲート酸化膜にウィークスポットが生じるのをほぼ完全に防止する。【構成】 ガラス等からなる基板1の上面にポリシリコン膜2を堆積する。次に、ポリシリコン膜2の表面側を熱酸化すると、熱酸化されないポリシリコン膜2によって半導体薄膜3が形成されると共に、該半導体薄膜3の表面に酸化シリコンからなる下層ゲート酸化膜4が形成される。次に、下層ゲート酸化膜4の表面に酸化シリコンからなる上層ゲート酸化膜5を堆積する。この状態では、下層ゲート酸化膜4と上層ゲート酸化膜5とが構造的に互いに独立しているので、ポリシリコン膜2の表面側を熱酸化してなる下層ゲート酸化膜4にポリシリコン膜2の表面の結晶粒界に起因するウィークスポットが生じても、このウィークスポットを上層ゲート酸化膜5との界面で終端させることができ、したがって全体に亘るゲート酸化膜にウィークスポットが生じるのをほぼ完全に防止することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に堆積されたポリシリコン膜の表面側を熱酸化することにより、熱酸化されない前記ポリシリコン膜によって半導体薄膜を形成すると共に、該半導体薄膜の表面に酸化シリコンからなる下層ゲート酸化膜を形成し、該下層ゲート酸化膜の表面に酸化シリコンからなる上層ゲート酸化膜を堆積することを特徴とするゲート酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
